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中文名. 简单吸氧面罩. 外文名. simple oxygen mask. 所属学科. 呼吸病学. 公布时间. 2018年. 目录. 1 定义. 2 出处. 定义. 播报. 编辑. 无储气囊、无活瓣的开放式面罩。 面罩两侧有气孔，以排出呼出气。 为消除面罩无效腔所产生的重复呼吸，氧流量必须大于4L/min。 吸氧浓度不稳定，不适用于伴有二氧化碳潴留的低氧血症患者。 出处. 播报. 编辑. 《呼吸病学名词》 [1] 简单吸氧面罩（simple oxygen mask）是2018年公布的呼吸病学名词。
中文名. 非重复呼吸面罩. 外文名. non-rebreathing mask. 所属学科. 呼吸病学. 公布时间. 2018年. 目录. 1 定义. 2 出处. 定义. 播报. 编辑. 一种具有单向活瓣、可防止呼出气进入储气囊的吸氧面罩。 临床上常用呼吸机的单向通气活瓣或单向阀防止呼出气进入面罩，保证较高的吸氧浓度，甚至达100%，但阻力稍大。 出处. 播报. 编辑. 《 呼吸病学名词 》第一版。 [1] 非重复呼吸面罩（non-rebreathing mask）是2018年公布的呼吸病学名词。
英文缩写. PSM. 相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）是同时利用 光线 的强度和相位来成像，得到更高分辨率的一种 分辨率 增强技术 [1]。 相移掩模是一项通过改变光束相位来提高 光刻分辨率 ，其基本原理是通过改变 掩模 结构，使得透过相邻透光区域的光波产生180度的相位差，二者在像面上特定区域内会发生相消 干涉 ，减小光场中暗场的光强，增大亮区的光场，以提高 对比度 ，改善 分辨率 [2]。
- 概览
- 掩模简介
- 制作
- 结构
光刻工艺部件
掩模版（mask）简称掩模，是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上。掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。在投影式光刻机中，掩模作为一个光学元件位于会聚透镜（condenser lens）与投影透镜（projection lens）之间，它并不和晶圆有直接接触。掩模上的图形缩小4~10倍（现代光刻机一般都是缩小4倍）后透射在晶圆表面。为了区别接触式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被称为倍缩式掩模（reticle）。
掩模版（mask）简称掩模，是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上。掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。在投影式光刻机中，掩模作为一个光学元件位于会聚透镜（condenser lens）与投影透镜（projection lens）之间，它并不和晶圆有直接接触。掩模上的图形缩小4~10倍（现代光刻机一般都是缩小4倍）后透射在晶圆表面。为了区别接触式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被称为倍缩式掩模（reticle）。表1对这两种掩模的不同之处做了对比。大型集成电路光刻工艺中使用的都是步进-扫描式光刻机（scanner），以及与之相配套的倍缩式掩模。在日常交流中，倍缩式掩模仍然被简称为掩模 [1]。
表1 掩模与倍缩式掩模之间的区别
掩模版本身也是一个微细加工过程。它涉及曝光、显影、刻蚀等工艺过程。掩模的曝光常用扫描激光束完成。经过曝光显影后的镀铬玻璃板一般经过湿法酸腐蚀去除暴露的铬层，从而形成掩膜图形。这时传统掩模版的制造过程 [1]。
为了保证在不同型号光刻机之间的互用，掩模的结构和几何尺寸都类似的。它的主体是一块152mm*152mm（即）的高质量石英玻璃基板，其厚度是，如图1中（a）所示。石英玻璃对深紫外光（≤365mm）有很高的透过率，而且其热膨胀系数只有0.5ppm/℃ (通常玻璃是9.4ppm/℃)。一个铝合金制备的框架被安装在玻璃基板上刻有图形的一侧，如图1中（b）所示。铝合金框架高6.1mm、厚2mm，它用于蒙贴保护膜，如图1中（c）所示。掩模所有曝光的区域都必须在保护膜的覆盖之下。外界和掩模的机械接触都发生在铝合金框架之外的部分。铝合金框架侧面开有通气孔，以避免曝光、温度变化时形成内外压强差 [1]。
在铝合金框架之外的区域还设置有预对准标识（pre-alignment marks）、掩模版的序列号（barcode）、工厂的序列号（reticle ID）、TIS标识（transmission image senor marks）等，如图2所示 [1]。
近年来为了提高曝光分辨率，开发出了相移掩模和光学邻近效应校正掩模。这些掩模的制造工艺比传统掩模复杂得多 [2]。
三重金属掩模：在金属膜或金属片表面上的某些区域被第二层抗蚀金属保护，而第二层金属本身的某些区域又被第三层抗蚀金属所保护，采用这种方式形成的金属掩模称为三重金属掩模 [3]。
1 简介. 2 举例. 3 信号集处理函数. 简介. 播报. 编辑. 每个进程都有一个信号掩码（signal mask），也称为信号屏蔽字，它规定了当前要屏蔽或要阻塞递送到该进程的信号集。 对于每种可能的信号，该掩码中都有一位与之对应。 对于某种信号，若其对应位（bit）已设置，则它当前是被阻塞的。 简单地说，信号掩码是一个“ 位图 ”，其中每一位都对应着一种信号。 如果位图中的某一位为1，就表示在执行当前信号集的处理程序期间相应的信号暂时被“屏蔽”或“阻塞”，使得在执行的过程中不会嵌套地响应那个信号。 举例. 播报. 编辑. 为什么要对某一信号进行屏蔽呢？ 我们来看一下对Ctrl+C的处理。
中文名. 二元掩模. 外文名. Binary Intensity Mask. 英文缩写. BIM. 相关视频. 查看全部. 二元掩模版是使用最多的一种掩模版，被广泛用于365nm（I线）至193nm的浸没式光刻。 二元掩模是相对于移相掩模而言的。 最常用的二元掩模遮光材料是Cr，因为其易于沉积在 石英玻璃 上，粘合性好，物理化学性质稳定，且便于使用硝酸铈铵刻蚀液的湿法化学刻蚀 [2]。 常见的二元掩模（Cr掩模版）的制造流程示意图如图1所示，具体步骤如下 [2]： 1. 掩模基板是石英玻璃，使用物理方法 (PVD)沉积一层均匀的Cr薄膜； 2. 在Cr沉积厚度达到要求值后，开始少量引入氧气，O2与表面的Cr发生反应； 3. 逐步增大O2的输入量，使薄膜中O的含量形成梯度。
1 简介. 2 种类. 透明基板. 遮光膜. 3 制作方法. 4 工艺过程. 简介. 播报. 编辑. 光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。 由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。 待加工的掩膜版由玻璃/石英基片、铬层和光刻胶层构成。 其图形结构可通过制版工艺加工获得，常用加工设备为直写式光刻设备，如激光直写光刻机、电子束光刻机等。
