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中文名. 金刚石. 外文名. diamond. 别 名. 金刚钻. 化学式. C. 分子量. 12.0107（8） CAS登录号. 7782-40-3. EINECS登录号. 231-953-2. 熔 点. 3550 ℃. 密 度. 3.5 g/cm³. 外 观. 正八面体晶体. 绝对硬度. 10000-2500. 目录. 1 计算化学数据. 2 物理性质. 硬度.
半导体 的异质结是一种特殊的 PN结 ，由两层以上不同的 半导体材料 薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的 能带隙 ，它们可以是 砷化镓 之类的 化合物 ，也可以是 硅 - 锗 之类的半导体 合金 。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。 另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管 电流 与 电压 的响应参数。 半导体异质结构 对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和 光电子 器件的关键成分。 中文名. 异质结. 外文名. heterojunction. 基本特性. 依先后次序沉积在同一基座上. 应用作用. 电子与空穴的复合率因而增加. 其它应用. 使用于其它光电组件. 目录. 1 简介. 2 基本特性. 3 应用作用. 简介. 播报. 编辑.
半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。. 最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。. 它们的共同特点是伏安特性的不对称性，即电流沿其一个方向呈现良好的导电性，而在相反方向呈现高阻特性。. 可用作为整流、检波、稳压 ...
甲 PN结 正向偏置模式下，耗尽宽度减少。. p和n结是在1E15 / cm 3的掺杂的掺杂水平，从而导致内置 电势 的〜0.59V。. 观察n和p区（红色曲线）中导带和价带的不同 准费米能级 。. 耗尽区瞬间跨过p-n结形成。. 当结点处于热平衡或 稳定状态 时，最容易描述：在这 ...
中文名. 反向饱和电流. 外文名. Reverse Saturation Current. 属 性. 饱和电流. 主 体. 二极管. 根 本. PN结 的 单向导电性. 释义. 二极管中：如果给它加 反向电压 ，反向电压在某一个范围内变化， 反向电流 （即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流．其他器件中也有类似的情况．. 其根本在于 PN结 的 单向导电性 。 反向电流是由少数 载流子 的 漂移运动 形成的，同时 少数载流子 是由 本征激发 产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。
聚晶金刚石复合片（polycrystalline diamond compact，PDC）属于新型 功能材料 ，是采用 金刚石微粉 与 硬质合金 衬底在超高压高温条件下烧结而成，既具有金刚石的高硬度、高耐磨性与导热性，又具有 硬质合金 的强度与抗冲击韧性，是制造切削刀具、钻井钻头及其他耐磨工具的理想材料。 中文名. 聚晶金刚石复合片. 外文名. polycrystalline diamond compact. 目录. 1 释义. 2 背景介绍. 3 发展方向. 4 性能与切削特点. 释义. 播报. 编辑. 学科：钻探工程. 词目：聚晶金刚石复合片. 英文：polycrystalline diamond compact.
硅外延发展的起因是为了提高双极器件和集成电路的性能。外延可以在重掺杂的衬底上生长一层轻掺杂的外延层。这在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件的速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小，它将 闩锁效应 降到最低。
