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2020年6月1日 · 聯電成立於 1980 年，是國內首家晶圓製造廠，並曾創下多項紀錄，但目前晶圓代工市占率 7.9%，落後台積電，不過在務實策略下，聯電於面板驅動 IC 領域仍居世界第 1。
- Dram、Nand Flash 面臨微縮挑戰，產業界尋找新興記憶體技術
- MRAM 可微縮到 10 奈米以下，並兼具處理與儲存資訊的功能
- 格芯、台積電投入研發，Mram 市占持續增加
隨著半導體產業持續朝更小的技術節點邁進，DRAM（動態隨機存取記憶體）與 NAND Flash（儲存型快閃記憶體）開始面臨微縮挑戰，DRAM 已接近微縮極限，而 NAND Flash 則朝 3D 轉型，除微縮越趨困難外，在高速運算上也遭遇阻礙。 而在人工智慧、5G 時代來臨下，資料需求量暴增，隨著摩爾定律持續向下微縮，半導體業者加大對新興記憶體的研發與投資力道，開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的儲存解決方案。 目前新興記憶體主要包括鐵電隨機存取記憶體（FRAM）、相變化隨機存取記憶體（PRAM）、磁阻式隨存取記憶體（MRAM）及可變電阻式隨機存取記憶體（RRAM）等，其中又以 MRAM 最被看好、最受業界期待。
MRAM 屬於非揮發性記憶體技術，是利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體，斷電時，所儲存的資料不會消失，耗能較低；讀寫速度快，可媲美 SRAM（靜態隨機存取記憶體），比 Flash 速度快上百倍、甚至千倍；在記憶容量上能與 DRAM 抗衡，兼具處理與儲存資訊功能；且資料保存時間長，適合需要高性能的場域。 除效能上的優點外，相較於 DRAM、SRAM 與 NAND Flash 等記憶體面臨微縮困境，MRAM 特性可滿足製程微縮需求。目前 DRAM 製程停滯在 1X 奈米，而 Flash 走到 20 奈米以下後，朝 3D 製程轉型，MRAM 製程可推進至 10 奈米以下。至於 SRAM，則在成本與能量損耗上，遭遇嚴峻挑戰。 在具備 Flash 的非揮發性技術、SRAM 的快速讀寫能力、DRAM...
MRAM 與 DRAM、NAND Flash 及 SRAM 等記憶體概念全然不同，MRAM 的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要為兩大類別：傳統 MRAM 及 STT-MRAM，前者以磁場驅動，後者則採自旋極化電流驅動。 目前各家半導體大廠主要著眼 STT-MRAM，且越來越多嵌入式解決方案誕生，以取代 Flash、EEPROM 和 SRAM。三星採 28 奈米 FD-SOI（完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體）製程製造；格芯同樣 FD-SOI 技術，但製程已推進至 22 奈米；英特爾也採用基於 FinFET（鰭式場效電晶體）技術的 22 奈米製程。 台積電則是早在 2002 年，就與工研院簽訂 MRAM 合作發展計畫，目前正開發 22 奈米嵌入式 STT-MRAM，採用超低漏電 CMO...
2020年9月29日 · 台積電拿下了全球晶圓代工近六成市占率，老二的格羅方德（Global Foundry）加上老三的聯電（UMC）也不到兩成。無可取代，是台積電的世界地位。因此 歷次台灣地震或斷電，國際通訊社第一通電話，不是打給總統府，而是台積電。
2020年1月10日 · 鉅亨網. 2020-01-10. 分享本文. 半導體產品示意圖. 【為什麼我們要挑選這篇文章】半導體材料以「矽」為主，然而矽基半導體具有功耗高、切換頻率低等缺點，但 5G 產品又有高功耗、高頻等特性，為了提升 5G 效能，「氮化鎵」成為 5G 時代的重要材料，也是台灣代工廠的關鍵領域！ （責任編輯：郭家宏） 蘋果 iPhone X 採用 3D 感測技術後，半導體材料砷化鎵因 VCSEL 等應用而聲名大噪，近來隨著 5G、電動車等新應用興起，對功率半導體需求增溫，新一代材料氮化鎵（GaN）挾著高頻率等優勢，快速攫獲市場目光；台廠繼站穩矽晶圓代工、砷化鎵晶圓代工龍頭地位後，也積極搶進氮化鎵領域，力拚再拿代工龍頭寶座。 矽基半導體切換頻率低，氮化鎵具有高頻優勢.
2021年11月10日 · 2021-11-10. 分享本文. 為了炫技自家數位孿生技術，NVIDIA 苦苦瞞著全世界 3 個月. NVIDIA 創辦人暨執行長黃仁勳於 2021 年度 GTC 會議上介紹多項將改變市值數兆美元產業的嶄新技術，包含最近火紅的元宇宙議題、自動駕駛車、虛擬化身與更智慧的機器人。 在媒體採訪中，針對「元宇宙」的議題是目前發問最踴躍的相關事項，大家也都好奇，NVIDIA 眼中的元宇宙是什麼。
2021年10月6日 · 鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中分析，「台灣在化合物半導體滿強的， 在元件上雖然材料美國比較厲害，但是製造端有台積電、穩懋，封裝有日月光，台灣是有機會做起來的。 化合物半導體、矽基半導體差很大，台廠學習曲線長. 放眼看去，除了原本就稱霸矽晶圓領域的台積電、日月光、環球晶等，均布局卡位第 3 代半導體一段時間；在第 2 代半導體砷化鎵（GaAs）領域深蹲已久的穩懋、宏捷科、全新等，也擺出對第 3 代半導體勢在必得的態勢。 此外，功率元件供應鏈如強茂、漢磊、世界先進，以及從 LED、太陽能領域跨足的富采、太極、穩晟等，也摩拳擦掌投入第 3 代半導體。
2020年3月2日 · 2020-03-02. 分享本文. 晶圓示意圖. 【為什麼我們要挑選這篇文章】5G、AI 需要龐大的運算能力，同時設備的體積也愈縮愈小；為了提高運算元件密度，晶圓構造從 MOSFET 升級到 FinFET，然而這兩個結構間有 16 到 20 奈米的尺寸空窗區域，SOI 晶圓成為填補空窗的關鍵。 相較於傳統矽晶圓，SOI 在高頻與高功率環境中具優勢；而相較於 FinFET，SOI 具有成本低、製程技術簡單等優點。 此外，SOI 單價與毛利是傳統矽晶圓的數倍，有良好的獲利表現。 目前台灣在 SOI 領域有哪些關鍵廠商？ （責任編輯：郭家宏）
