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播报. 编辑. 耗尽层（depletion region），又称耗尽区、阻挡层、势垒区（barrier region），是指 PN结 中在 漂移运动 和 扩散作用 的双重影响下 载流子 数量非常少的一个高 电阻 区域。 耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。 耗尽区是这样命名的，因为它是由导电区域通过除去所有自由电荷载体而形成的，而不留下任何电流。 了解耗尽区是解释现代 半导体 电子 器件的关键：二极管， 双极结型晶体管 ， 场效应晶体管 和可变电容二极管都依赖于耗尽区现象。 以下讨论限于 p-n结 和MOS电容器，但是在上述所有装置中都会出现耗尽区。 p-n结. 播报. 编辑. 图1 顶部：扩散前的p-n结; 底部：达到平衡后. 图2 从上到下.
基本概念. 播报. 编辑. 肠外营养的途径有 周围静脉营养 和 中心静脉营养 。 肠外营养（PN）是经静脉途径供应病人所需要的营养要素，包括热量（ 碳水化合物 、脂肪乳剂）、必需和 非必需氨基酸 、 维生素 、电解质及微量元素。 肠外营养分为 完全肠外营养 和部分补充肠外营养。 目的是使病人在无法正常进食的状况下仍可以维持营养状况、体重增加和 创伤愈合 ，幼儿可以继续生长、发育。 静脉输注途径和输注技术是肠外营养的必要保证。 适应症状. 播报. 编辑. 肠外营养的基本适应证是胃肠道 功能障碍 或衰竭者，也包括需家庭肠外 营养支持 者。 疗效显著. 1.胃肠道梗阻. 2.
中文名. PN结. 外文名. PN junction. 目录. 1 原理. 杂质半导体. 2 特性. 特性概述. 反向击穿性. 单向导电性. 伏安特性. 电容特性. 3 应用. 稳压二极管. 变容二极管. 4 发展过程. 5 制造工艺. 6 击穿机理. 原理. 播报. 编辑. 杂质半导体. 对于硅晶体（或锗晶体）来说，五价元素磷、砷等称为施主元素（施主杂质），三价元素硼、铟等称为受主元素（受主杂质）。 N型半导体（N为Negative的首字母，由于电子带负电荷而得此名）：掺入施主元素（施主杂质）的半导体材料中，导电电子的数量远多于空穴的数量，称为N型半导体。
1 技术特点. 2 应用领域. 技术特点. 播报. 编辑. 在高温下使掺杂金属（又称为合金材料）和半导体晶片熔成合金来制作PN结 (或形成集成电路欧姆接触)的工艺。 用合金工艺制作锗PN结的典型工艺过程，是将掺杂金属（如In）置于表面经过严格清洁处理的半导体晶片上（如N型Ge），在氢气或真空中加热至一定温度,并维持一定时间。 此时，熔化的金属和半导体晶片相接触的那一部分材料溶入熔化了的金属中，与金属形成合金，温度下降后在金属中的半导体材料便再结晶。 再结晶的半导体材料中含有丰富的掺杂金属原子，从而改变了半导体的导电类型（P型），并与原来的N型晶片形成PN结（图1）。 合金法形成的PN结是突变型的。 在合金工艺中精确地控制合金深度和得到平坦的PN结比较困难。
肠外营养（PN）药物是经静脉为无法经胃肠道摄取或摄取营养物不能满足自身代谢需要的患者提供包括氨基酸、脂肪、碳水化合物、维生素及矿物质在内的营养素，使患者在不 能进食或高代谢的情况下，仍能维持良好的营养状况， 增进自身免疫能力，促进伤口
中文名. 单向导电性. 外文名. unilateral conductivity. 性 质. 正向导通，反向截止. 原 因. PN结 加 正向电压. 作 用. 判断二极管的好坏. 目录. 1 定义. 2 PN结. 3 机理解释. 正偏. 反偏. 4 失败原因. 定义. 播报. 编辑. （1）正向：将P型区接电源正极，N型区接电源负极，则外电场削弱了内电场。 扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散大于漂移，形成正向电流IF。 结电压很低，显示正向电阻很小，称为正向导通。 （2）反向：将P型区接电源负极，N型区接电源正极，则外电场加强了内电场。 扩散运动减弱，漂移运动增强，漂移大于扩散，形成反向电流IR。 由于漂移运动是由少子形成，数量很少，所以IR很小，可以忽略不计，但IR受温度影响较大。
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