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      • 在圖一的 MOSFET 中,「極長度(Gate length)」大約 10 奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程線寬」。
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  2. 閘極長度: 半導體製程進步的關鍵. 在圖一的 MOSFET 中,「閘極長度(Gate length)」大約 10 奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程線寬」。 閘極長度會隨製程技術的進步而變小,從早期的 0.18 微米、0.13 微米,進步到 90 奈米、65 奈米、45 奈米、22 奈米,到目前最新製程 10 奈米。 當閘極長度愈小,則整個 MOSFET 就愈小,而同樣含有數十億個 MOSFET 的晶片就愈小,封裝以後的積體電路就愈小,最後做出來的手機就愈小囉! 10 奈米到底有多小呢? 細菌大約 1 微米,病毒大約 100 奈米,換句話說,人類現在的製程技術可以製作出只有病毒 1/10(10 奈米)的結構,厲害吧!

  3. 2023年1月11日 · 閘極長度:半導體製程進步的關鍵. 在圖二的MOSFET 中,「閘極長度 (Gate length)」大約10奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程節點 (Node)」。 閘極長度會隨製程技術的進步而變小,從早期的0.18、0.13微米,進步到90、65、45、22、14奈米,到目前最新的製程10、7、5、3奈米,甚至未來的2奈米。 當閘極長度愈小,則整個MOSFET就愈小,而同樣含有數十億個MOSFET的晶片就愈小,封裝以後的積體電路 (IC)就愈小,最後做出來的手機就愈小囉! 但是要特別留意,並不是所有的電晶體都必須便用先進製程,而是要看不同元件需要的特性來決定,目前積體電路 (IC)依照特性主要分為三大類:

  4. 2023年4月12日 · 「閘極長度」(Gate length)大約10奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程節點」(Node)。

    • 什麼是閘極長度?1
    • 什麼是閘極長度?2
    • 什麼是閘極長度?3
    • 什麼是閘極長度?4
    • 什麼是閘極長度?5
  5. 寬度(width)指電晶體的範圍,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的閘極限制最高頻率約為5GHz,0.2微米則約30GHz。 這些端的名稱和它們的功能有關。閘極可以被認為控制一個物理柵的開關。這個閘極可以通過製造或者

  6. 閘極長度是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程線寬」。 閘極長度會隨製程技術的進步而變小,從早期的 0.18 微米、0.13 微米,進步到 90 奈米、65 奈米、45 奈米、22 奈米,到目前最新製程 ...

    • 什麼是閘極長度?1
    • 什麼是閘極長度?2
    • 什麼是閘極長度?3
    • 什麼是閘極長度?4
    • 什麼是閘極長度?5
  7. 2021年10月4日 · 閘極長度:半導體製程進步的關鍵. 在圖一的MOSFET中,「閘極長度」(gate length)大約10奈米,是所有構造中最細小也最難製作的,因此我們常常以閘極長度來代表半導體製程的進步程度,這就是所謂的「製程線寬」。 閘極長度會隨製程技術的進步而變小,從早期的0.18微米、0.13微米,進步到90奈米、65奈米、45奈米、22奈米、10奈米,到日前台積電宣佈正在開發中的7奈米、5奈米、3奈米。 當閘極長度愈小,則整個MOSFET就愈小,而同樣含有數十億個MOSFET的晶片就愈小,封裝以後的積體電路(IC)就愈小,最後做出來的手機就愈小囉! 10奈米到底有多小呢? 細菌大約1 微米,病毒大約100 奈米,換句話說,人類現在的製程技術可以製作出只有病毒1/10(10奈米)以下的結構,厲害吧!

  8. 2024年5月23日 · 傳統半導體尺寸的微縮使得電晶體的閘極長度 (gate length) 也逐漸縮小。為了評估半導體晶片製作技術,傳統上常使用電晶體的閘極線寬作為指標,因為閘極線寬越小,代表電晶體越小,相同尺寸的晶片就能容納更多的電晶體,進而意味著功能越多 ...