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2024年3月11日 · AuRoFUSE™是僅由次微米大小的金粒子和溶劑所構成，在低電阻和高熱傳導率以及低溫度下實現金屬接合的材料。 透過本技術可使用 AuRoFUSE™預製件 （乾燥體）實現20μm大小4μm間隙的窄間距封裝。 此外，AuRoFUSE™預製件在200℃、20MPa（兆帕）、10秒的熱壓後，在壓縮方向顯示出約10％的收縮率，在水平方向上較少變形，金凸塊的接合強度※1足以承受實際應用※2。 再加上是以化學穩定性優異的Au為主要成分，封裝後具高可靠性。 本技術是一種能夠實現半導體配線微細化和多種晶片集成（高密度化）的技術，期待將為LED（發光二極體）和LD（半導體雷射）等光學元件，電腦和智慧型手機等數位元件上的應用，以及需要高度技術創新的車載零部件等先進技術做出貢獻。
2019 年到2020 年期間,在配備可自由自在彎曲的螢幕等高檔智慧型手機可望問世的情況下,要求實現軟性且更薄,具高耐久性的觸控面板。 前智慧型手機大多採用穿透率高,可進行多點檢測的投影型靜電電容式觸控面板。使用於投影型静電電容式觸控面板的觸控感應器,就穿透�. 之高與量產性的觀點,將氧化銦錫(ITO)蝕刻於玻璃基板形成的透明電極成為主流。然而由於氧化銦錫今後難以低�. 格化及擔憂蝕刻時流出的廢液會造成環境污染等,因而著手展開替代物質的研究。而ITO因電阻�. 使用金屬網格進行觸控面板用感應器的研發,部分觸控面板螢幕與電腦均已採用。然而金屬網格的感應器部線寬目前以3 micrometre~7 micrometre為主流,這是因為配�.
封裝半導體元件的接合方法，包括使用焊料錫和電鍍等方式，會根據目的採用各種方法。 使用焊 錫的方法可低成本快速形成凸塊，但由於隨著凸塊間距變得微細，焊錫在熔化時會向外擴展，因此存
2018 年9 月12日 田中控股株式會社. 金屬整面薄膜形成技術~可望達到觸控面板與有機EL 顯示器的薄型化、軟性化及高畫質化~田中控股株式會社(總公司:東京都千代田區、執行總裁:田苗 明)宣布田中貴金屬集團旗下負責製造事業的田中貴金屬工業株式會社(總公司 ...
為針對電路連接器等的靜接點、繼電器、開關等等開關接點，邊進行機械性滑動、邊使電流通過之接點。 形狀則有板狀及綁成細導線狀的多線式類型、耙手狀的抓取類型等。
田中貴金屬成功開發使用銀奈米墨水的70℃低溫燒結技術及運用蝕刻製程的銀金屬整面薄膜形成技術. 可望達到觸控面板與有機EL顯示器的薄型化、軟性化及高畫質化. 東京, 2018年9月12日 - (亞太商訊) - 田中控股株式會社（總公司：東京都千代田區、執行總裁：田苗 ...
為針對電路連接器等的靜接點、繼電器、開關等等開關接點，邊進行機械性滑動、邊使電流通 過之接點。 形狀則有板狀及綁成細導線狀的多線式類型、耙手狀的抓取類型等。
