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  1. 單向晶閘管 是PNPN四層結構形成三個PN結可以等效為PNPNPN兩 晶體管 組成的複合管,具有三個外電極:陽極A(Anode),陰極C(Cathode)和控制極G(Gate)。 在A、C之間加上正電壓後,管子並不導通;當控制極G加上正電壓(相對於陰極C而言)後才導通;此時再去掉控制極的電壓,管子依然能夠保持導通。 雙向晶閘管 可以等效為兩個單向晶閘管反向並聯。 因雙向晶閘管正負雙向均可以控制導通,故控制極G外的另外兩個電極不再稱陰極陽極,而改稱為主電極MT1、MT2或T1、T2。 當G與MT1間給予適當的訊號時,MT2與MT1間即可導通。 参看. 可關斷晶閘管 (GTO, Gate Turn-Off thyristor)

  2. 晶閘管的特點是具有可控的單向導電即與一般的 二極體 相比可以對導通電流進行控制晶閘管具有以小電流電壓控制大電流電壓作用並體積小功耗低效率高開關迅速等優點廣泛用於無觸點開關可控整流逆變調光調壓調速等方面。 [1] 發展歷史 [ 編輯] 半導體 的出現成為20世紀現代 物理學 其中一項最重大的突破,標誌著 電子技術 的誕生。 而由於不同領域的實際需要,促使 半導體裝置 自此分別向兩個分支快速發展,其中一個分支即是以 積體電路 為代表的 微電子元件 ,特點為小功率、集成化,作為資訊的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子元件,特點為大 功率 、快速化。

  3. 晶閘管Thyristor是一種開關元件能在高電壓大電流條件下工作並且其工作過程可以控制被廣泛套用於可控整流交流調壓無觸點電子開關逆變及變頻等電子電路中是典型的小電流控制大電流的設備1957年美國通用電器公司開發出世界上第一個晶閘管產品並於1958年使其商業化。 結構. 它是由一個P-N-P-N四層 (4 layers) 半導體構成的,中間形成了三個PN結。 分類. 晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導晶閘管(RCT)、門極關斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國外,TTS國內)和光控晶閘管(LTT)等多種。 晶閘管按其 引腳 和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。

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  5. 晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又被稱做可控矽整流器,以前被簡稱為可控矽;1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品,並於1958年將其商業化;...

  6. 晶閘管全稱晶體閘流管又稱可控矽:是一種功率半導體器件它具有容量大效率高可控性好壽命長以及體積小等諸多優點是弱電控制和被控強電之間的橋樑從節能的觀點出發電力電子技術被譽為新電氣技術

  7. 單向晶閘管 是PNPN四層結構形成三個PN結可以等效為PNPNPN兩 電晶體 組成的複合管,具有三個外電極:陽極A(Anode),陰極C(Cathode)和控制極G(Gate)。 在A、C之間加上正電壓後,管子並不導通;當控制極G加上正電壓(相對於陰極C而言)後才導通;此時再去掉控制極的電壓,管子依然能夠保持導通。 雙向晶閘管 可以等效為兩個單向晶閘管反向並聯。 因雙向晶閘管正負雙向均可以控制導通,故控制極G外的另外兩個電極不再稱陰極陽極,而改稱為主電極MT1、MT2或T1、T2。 當G與MT1間給予適當的訊號時,MT2與MT1間即可導通。 參看. 可關斷晶閘管 (GTO, Gate Turn-Off thyristor)

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    晶閘管的特點是具有可控的單向導電即與一般的 二極體 相比可以對導通電流進行控制晶閘管具有以小電流電壓控制大電流電壓作用并體積小功耗低效率高開關迅速等優點廣泛用於無觸點開關可控整流逆變調光調壓調速等方面。 [1] 事实速览 「晶閘管的各地常用名稱, 中国大陸 ... 关闭. 事实速览 「晶閘管」的各地常用名稱, 中国大陸 ... 关闭. 單向晶閘管SCR的電路符號及引脚说明. 一枚裝載散熱器上的SCR, 耐壓1200V最大電流100A, 小接線是用來做閘極觸發控制. Oops something went wrong: 晶體閘流管(英語:),簡稱,指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。