pn diamond 相關
廣告精選鑽石、寶石、珍珠，來款訂造首飾，歡迎親臨半島酒店商場選購。 擁有20多年珠寶設計和製作的經驗，廣受香港及外國旅客歡迎，信譽良好，實力非凡。
Learn About An Option For Your Patients With PN. View Dosing & Administration Info Today! Official HCP Site— Find Patient Support, Resources, & Safety Info Now.
搜尋結果
中文名. 金刚石. 外文名. diamond. 别 名. 金刚钻. 化学式. C. 分子量. 12.0107（8） CAS登录号. 7782-40-3. EINECS登录号. 231-953-2. 熔 点. 3550 ℃. 密 度. 3.5 g/cm³. 外 观. 正八面体晶体. 绝对硬度. 10000-2500. 目录. 1 计算化学数据. 2 物理性质. 硬度. 颜色.
定义. 播报. 编辑. 耗尽层（depletion region），又称耗尽区、阻挡层、势垒区（barrier region），是指 PN结 中在 漂移运动 和 扩散作用 的双重影响下 载流子 数量非常少的一个高 电阻 区域。 耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。 耗尽区是这样命名的，因为它是由导电区域通过除去所有自由电荷载体而形成的，而不留下任何电流。 了解耗尽区是解释现代 半导体 电子 器件的关键：二极管， 双极结型晶体管 ， 场效应晶体管 和可变电容二极管都依赖于耗尽区现象。 以下讨论限于 p-n结 和MOS电容器，但是在上述所有装置中都会出现耗尽区。 p-n结. 播报. 编辑. 图1 顶部：扩散前的p-n结; 底部：达到平衡后. 图2 从上到下.
半导体 的异质结是一种特殊的 PN结 ，由两层以上不同的 半导体材料 薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的 能带隙 ，它们可以是 砷化镓 之类的 化合物 ，也可以是 硅 - 锗 之类的半导体 合金 。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。 另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管 电流 与 电压 的响应参数。 半导体异质结构 对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和 光电子 器件的关键成分。 中文名. 异质结. 外文名. heterojunction. 基本特性. 依先后次序沉积在同一基座上. 应用作用. 电子与空穴的复合率因而增加. 其它应用. 使用于其它光电组件. 目录. 1 简介. 2 基本特性. 3 应用作用. 简介. 播报. 编辑.
聚晶金刚石复合片（polycrystalline diamond compact，PDC）属于新型 功能材料 ，是采用 金刚石微粉 与 硬质合金 衬底在超高压高温条件下烧结而成，既具有金刚石的高硬度、高耐磨性与导热性，又具有 硬质合金 的强度与抗冲击韧性，是制造切削刀具、钻井钻头及其他耐磨工具的理想材料。 中文名. 聚晶金刚石复合片. 外文名. polycrystalline diamond compact. 目录. 1 释义. 2 背景介绍. 3 发展方向. 4 性能与切削特点. 释义. 播报. 编辑. 学科：钻探工程. 词目：聚晶金刚石复合片. 英文：polycrystalline diamond compact.
稳压二极管_百度百科. 播报 编辑 讨论 上传视频. 半导体器件. 收藏. 0. 本词条由 “科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目 审核 。 稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。 利用 PN结 反向击穿 状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 [1] 此 二极管 是一种直到临界 反向击穿电压 前都具有很高电阻的 半导体器件 .在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据 击穿电压 来分档的，因为这种特性， 稳压管 主要 被作为 稳压器 或 电压基准 元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 [2] 中文名.
PN结正偏. 本 质. 半导体器件特性. 目录. 1 定义. 2 原理. 3 作用. 4 发光二极管. 5 正向与反向偏置的辨别. 定义. 播报. 编辑. 半导体器件特性之一，把电源的电压的正极与P区引出端相连，负极与N极引出端相连时，称PN结正向偏置，简称PN结正偏。 [2] 原理. 播报. 编辑. PN结正偏时，外部电场的方向是从P区指向N区，显然与内电场的方向相反，这时外电场驱使P区的 空穴 进入 空间电荷区 抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱。 内电场的削弱使 多数载流子 的扩散运动得以增强，形成较大的扩散 电流 （扩散电流由多子的定向移动形成，通常简称为电流）。
半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。 最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。 它们的共同特点是伏安特性的不对称性，即电流沿其一个方向呈现良好的导电性，而在相反方向呈现高阻特性。 可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。 利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。 [1] 中文名. 半导体二极管. 外文名. semiconductor diode. 别 名. 晶体二极管. 简 称. 二极管. 性 质. 一种能够单向传导电流的电子器件. 相关视频. 查看全部. 目录. 1 结构. 2 伏安特性. 正向特性（外加正向电压） 反向特性（外加反向电压） 反向击穿特性. 3 主要参数. 二极管.
