pn diamond 相關
廣告Official HCP Site— Find Patient Support, Resources, & Safety Info Now. Learn About An Option For Your Patients With PN. View Dosing & Administration Info Today!
- Clinical Studies
Discover Clinical Data
About Prurigo Nodularis
- Identifying Patients
Learn The Appropriate Treatment
For Patients with Prurigo Nodularis
- Efficacy & Safety
Find Efficacy & Safety Results
In Adult Patients With PN
- PN Treatment
Learn About Treatment
Options & Info For Your Patients
- Clinical Studies
擁有20多年珠寶設計和製作的經驗，廣受香港及外國旅客歡迎，信譽良好，實力非凡。 精選鑽石、寶石、珍珠，來款訂造首飾，歡迎親臨半島酒店商場選購。
搜尋結果
中文名. 金刚石. 外文名. diamond. 别 名. 金刚钻. 化学式. C. 分子量. 12.0107（8） CAS登录号. 7782-40-3. EINECS登录号. 231-953-2. 熔 点. 3550 ℃. 密 度. 3.5 g/cm³. 外 观. 正八面体晶体. 绝对硬度. 10000-2500. 目录. 1 计算化学数据. 2 物理性质. 硬度. 颜色.
定义. 播报. 编辑. 耗尽层（depletion region），又称耗尽区、阻挡层、势垒区（barrier region），是指 PN结 中在 漂移运动 和 扩散作用 的双重影响下 载流子 数量非常少的一个高 电阻 区域。 耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。 耗尽区是这样命名的，因为它是由导电区域通过除去所有自由电荷载体而形成的，而不留下任何电流。 了解耗尽区是解释现代 半导体 电子 器件的关键：二极管， 双极结型晶体管 ， 场效应晶体管 和可变电容二极管都依赖于耗尽区现象。 以下讨论限于 p-n结 和MOS电容器，但是在上述所有装置中都会出现耗尽区。 p-n结. 播报. 编辑. 图1 顶部：扩散前的p-n结; 底部：达到平衡后. 图2 从上到下.
半导体 的异质结是一种特殊的 PN结 ，由两层以上不同的 半导体材料 薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的 能带隙 ，它们可以是 砷化镓 之类的 化合物 ，也可以是 硅 - 锗 之类的半导体 合金 。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。 另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管 电流 与 电压 的响应参数。 半导体异质结构 对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和 光电子 器件的关键成分。 中文名. 异质结. 外文名. heterojunction. 基本特性. 依先后次序沉积在同一基座上. 应用作用. 电子与空穴的复合率因而增加. 其它应用. 使用于其它光电组件. 目录. 1 简介. 2 基本特性. 3 应用作用. 简介. 播报. 编辑.
中文名. 齐纳击穿. 外文名. ZENER BREAKDOWN. 又 称. 隧道击穿. 解 释. 生电子— 空穴 对致使电流急剧增大. 性 质. 一种物理现象. 目录. 1 齐纳击穿由来. 2 齐纳击穿简介. 3 特点. 齐纳击穿由来. 播报. 编辑. C·M·齐纳 (1905-1993)，美国物理学家。
当 p型半导体 区与 n型半导体 区相接触时，会形成一个 pn结 。. 此时，由于两边的 载流子 浓度不同，n区的多子电子向p区 扩散 ，而p区的多子空穴向n区扩散。. 随着电子由n区向p区扩散，带正电的施主离子被留在n区。. 同样，随着空穴由p区向n区扩散，p区由于 ...
PN结正偏. 本 质. 半导体器件特性. 目录. 1 定义. 2 原理. 3 作用. 4 发光二极管. 5 正向与反向偏置的辨别. 定义. 播报. 编辑. 半导体器件特性之一，把电源的电压的正极与P区引出端相连，负极与N极引出端相连时，称PN结正向偏置，简称PN结正偏。 [2] 原理. 播报. 编辑. PN结正偏时，外部电场的方向是从P区指向N区，显然与内电场的方向相反，这时外电场驱使P区的 空穴 进入 空间电荷区 抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱。 内电场的削弱使 多数载流子 的扩散运动得以增强，形成较大的扩散 电流 （扩散电流由多子的定向移动形成，通常简称为电流）。
稳压二极管_百度百科. 播报 编辑 讨论 上传视频. 半导体器件. 收藏. 0. 本词条由 “科普中国”科学百科词条编写与应用工作项目 审核 。 稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。 利用 PN结 反向击穿 状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 [1] 此 二极管 是一种直到临界 反向击穿电压 前都具有很高电阻的 半导体器件 .在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据 击穿电压 来分档的，因为这种特性， 稳压管 主要 被作为 稳压器 或 电压基准 元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 [2] 中文名.
