搜尋結果
圖片: nanohub.org
- MOS 的全名是「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）」， 構造如圖一所示，左邊灰色的區域（矽）叫做「源極（Source）」，右邊灰色的區域（矽）叫做「汲極（Drain）」，中間有塊金屬（紅色）突出來叫做「閘極（Gate）」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal）、氧化物（Oxide）、半導體（Semiconductor），因此稱為「MOS」。
www.anchi-tech.com.tw/topics.aspx?id=233
其他人也問了
三閘極電晶體是什麼?
多閘極晶體有哪些公司?
多閘極電晶體如何控制漏電流?
場效應電晶體的三個極是什麼?
多閘極電晶體 （英語： Mulitgate Device ）是指集合了多個 閘極 於一體的 金屬氧化物半導體場效電晶體 （MOSFET）。 它可以用一個 電極 來同時控制多个閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。 後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。 多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡 摩爾定律 （Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。 [1]
多閘極電晶體 （英語： Mulitgate Device ）是指集合了多個 閘極 於一體的 金屬氧化物半導體場效電晶體 （MOSFET）。 它可以用一個 電極 來同時控制多個閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。 後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。 多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡 莫耳定律 （Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。 [1]
一個n型MOSFET的橫截面. 所有的FET都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應 雙極性電晶體 的基極（base）、集極（collector）和射極（emitter）。 除了結型場效應管外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或基板（substrate）。 這個第四端可以將電晶體調變至運行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當 物理設計 一個 積體電路 的時候，它的存在就是重要的。 在圖中閘極的長度（length）L，是指源極和汲極的距離。 寬度（width）是指電晶體的範圍，在圖中和橫截面垂直。 通常情況下寬度比長度大得多。 長度1微米的閘極限制最高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。
MOSFET 是功率離散元件的主體之一，扮演著電源電子控制的角色（可以想像成是開關）。 依照不同的 導電特性 與 通道 的差異，又可分為 NMOS、PMOS、CMOS 三種： NMOS（N-type MOS） NMOS 的構造如 ＜圖一 (a)＞ 所示，在 P 型矽基板的左右各製作一個 N 型的區域 （類似「水溝」的構造），並且在上方蒸鍍金屬電極；另外在矽基板的中央上方製作一層氧化矽，上方再蒸鍍一層金屬電極（目前大多使用多晶矽取代），中央的金屬稱為「閘極（Gate）」，左邊的金屬稱為「源極（Source）」，右邊的金屬稱為「汲極（Drain）」。 PMOS（P-type MOS）
2015年4月7日 · 三極電晶體的設計目的，就是希望利用二極體的特性，建構一個可以由人為方式控制導通／不導通的控制器。 所以任何一種三極電晶體都是由一個控制極，一個輸入極，一個輸出極組成。 當我們希望它導通時就在控制極輸入某個電壓，形成通道，然後電流就能由輸入極流到輸出極去，這個輸出極可能又會連到另一個電晶體，變成控制訊號，這樣一連串的連結就構成了可以用布林代數（一種二元運算的偏序集合）控制結果的數位控制器。 順向偏壓. 逆向偏壓. 當然各位熟知常用在音響線路上的放大器也是一種三極體的應用，當通道在半形成狀態時電晶體就會開始輸出了，而此時控制極的電壓稍稍拉高，輸出就會約略線性加大，反之亦然。
- Jazzbear
閘極是由金屬、氧化層和半導體依序疊在一起所形成類似電容的結構(氧化層當做介電質),故命名為金氧半場效電晶體。 閘極只要加上足夠的正電壓,即可在半導體內靠近氧化層的介面上,吸引足夠多的導電電子形成通道,使源極與汲極的n+區導通。 故控制閘極的電壓,等效上就是控制氧化層內的電場,就可以控制源極與汲極之間的導電特性。 基板本體(body) 有時也會接出一隻腳,使MOSFET 變成四隻腳的元件,在大部分的應用中,基板本體會和源極接在一起,使源極、汲極和基板本體間的pn 接面永遠是不導通的,如此MOSFET 就變成和JFET 類似的三隻腳元件。 ( 圖2b)包括三隻接腳與四隻接腳的NMOS 電路符號。 (圖2a) 為一典型的NMOS 的結構示意圖. (圖2b) 三隻接腳與四隻接腳的NMOS電路符號.
電晶體是什麼？ MOSFET的特性. 關於MOSFET的寄生容量及溫度特性. 關於MOSFET的切換作用及溫度特性. 關於MOSFET的V GS (th) I D -V GS 特性與溫度特性. 關於MOSFET的寄生容量及溫度特性. MOSFET靜電容量之詳細. 功率MOSFET的結構包含圖1所示的寄生容量。 利用氧化層在MOSFET的G (閘極)端子和其他電極之間形成絕緣，讓在DS (汲極．源極)之間形成PN接合區，如此即形成類似二極體的結構。 C gs ,C gd 取決於氧化層的靜電容量，而C ds 的容量則依內部等效二極體的接合容量不同而異。 一般來說，MOSFET規格書中所刊載的容量包含表1所示的C iss /C oss /C rss 等3種。
