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多种制备HfO2 薄膜的方法,包 括原子层淀积(ALD)、化 学气相淀积(CVD)、物 理气相淀积(PVD)和分子束外延(MBE)等 方法.其 中,ALD 在控制薄膜的均匀性、厚 度、薄膜组分以及材料质量等方面均有较大的优势,被 认为是目前生长高k 栅介质材料的最合适的方法.在 众多的HfO2 ...
Development and Characteristic Analysis of MOS Al Ga N/ Ga N HEMTs. rostructur. s grown on sapphire substrates istron beam. These devices exhibit a maximum drain current of 718mA/ mm at 4V ,a. maximum transconductance of 172mS/ mm ,an ftconducta.
泄露电流变化发现泄露电流先下降后上升的特性，拐点温度在!"#$[!#，!%]& 原因是不同肖特基漏电机 理随温度的变化主导规律不同而使漏电发生变化，比如在较低的温度下碰撞电离机理使栅漏电有负的 温度系数[!’]，因为温度的升高导致电子在经过散射 ...
1. 引 言. 基于AlGaN/GaN 异质结的高电子迁移率晶体 管(HEMT)在高温器件及大功率微波器件方面已显 示出了优势[1，2]，为了更进一步满足AlGaN/GaN HEMT 在开关、数字电路等领域的应用，增强型 AlGaN/GaN HEMT 逐渐成为研究的热点. Lanford 等[3]采用槽栅结构来实现增强型器件，但Schottky 栅制作在被刻蚀的AlGaN...
中国工程院院士刘超一行来校调研交流. （通讯员尚保强）9月7日，中国工程院院士刘超一行来校进行学术交流，副校长张进成参加交流活动，空间科学与技术学院、广州研究院相关负责同志，以及电子工程学院、计算机科学与技术学院、生命科学技术学院、先进材料与纳米科技学院相关领域教师参加。 交流座谈会议由空间科学与技术学院党委书记朱伟主持。 张进成代表学校对刘超院士一行表示欢迎，并介绍了学校发展建设情况。...
#$% 介质层厚度对!"&’()&’( 金属氧化物半导体* 高电子迁移率晶体管性能的影响! 毕志伟 冯 倩 郝 跃! 岳远征 张忠芬 毛 维 杨丽媛 胡贵州 （西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 "#$$"#）
1. 引 言. SiC 具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率 大、化学稳定性好等优点，因而被用于制作高温、高 频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件. 然而由 于晶体生长或掺杂工艺，在衬底和外延层中通常出 现大量的缺陷，这些缺陷对器件的光电特性有着严 重的影响. 当器件工作于双极导通模式时，基面位 错(BPD)为堆垛层错(SF)的生长提供了成核位， BPD 转变为SF....
