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中文名. 金刚石. 外文名. diamond. 别 名. 金刚钻. 化学式. C. 分子量. 12.0107（8） CAS登录号. 7782-40-3. EINECS登录号. 231-953-2. 熔 点. 3550 ℃. 密 度. 3.5 g/cm³. 外 观. 正八面体晶体. 绝对硬度. 10000-2500. 目录. 1 计算化学数据. 2 物理性质. 硬度.
聚晶金刚石复合片（polycrystalline diamond compact，PDC）属于新型 功能材料 ，是采用 金刚石微粉 与 硬质合金 衬底在超高压高温条件下烧结而成，既具有金刚石的高硬度、高耐磨性与导热性，又具有 硬质合金 的强度与抗冲击韧性，是制造切削刀具、钻井钻头及其他耐磨工具的理想材料。 中文名. 聚晶金刚石复合片. 外文名. polycrystalline diamond compact. 目录. 1 释义. 2 背景介绍. 3 发展方向. 4 性能与切削特点. 释义. 播报. 编辑. 学科：钻探工程. 词目：聚晶金刚石复合片. 英文：polycrystalline diamond compact.
甲 PN结 正向偏置模式下，耗尽宽度减少。. p和n结是在1E15 / cm 3的掺杂的掺杂水平，从而导致内置 电势 的〜0.59V。. 观察n和p区（红色曲线）中导带和价带的不同 准费米能级 。. 耗尽区瞬间跨过p-n结形成。. 当结点处于热平衡或 稳定状态 时，最容易描述：在这 ...
硅外延发展的起因是为了提高双极器件和集成电路的性能。外延可以在重掺杂的衬底上生长一层轻掺杂的外延层。这在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件的速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小，它将 闩锁效应 降到最低。
半导体 的异质结是一种特殊的 PN结 ，由两层以上不同的 半导体材料 薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的 能带隙 ，它们可以是 砷化镓 之类的 化合物 ，也可以是 硅 - 锗 之类的半导体 合金 。 半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。 另外，通过调节半导体各材料层的厚度和能带隙，可以改变二极管 电流 与 电压 的响应参数。 半导体异质结构 对半导体技术具有重大影响，是高频晶体管和 光电子 器件的关键成分。 中文名. 异质结. 外文名. heterojunction. 基本特性. 依先后次序沉积在同一基座上. 应用作用. 电子与空穴的复合率因而增加. 其它应用. 使用于其它光电组件. 目录. 1 简介. 2 基本特性. 3 应用作用. 简介. 播报. 编辑.
PN结是构成各种半导体器件的基本组成单元之一。 中文名. PN结. 外文名. PN junction. 目录. 1 原理. 杂质半导体. 2 特性. 特性概述. 反向击穿性. 单向导电性. 伏安特性. 电容特性. 3 应用. 稳压二极管. 变容二极管. 4 发展过程. 5 制造工艺. 6 击穿机理. 原理. 播报. 编辑. 杂质半导体. 对于硅晶体（或锗晶体）来说，五价元素磷、砷等称为施主元素（施主杂质），三价元素硼、铟等称为受主元素（受主杂质）。 N型半导体（N为Negative的首字母，由于电子带负电荷而得此名）：掺入施主元素（施主杂质）的半导体材料中，导电电子的数量远多于空穴的数量，称为N型半导体。
中文名. 短二极管. 外文名. Short diode. 目录. 1 原理. 2 推导过程. 原理. 播报. 编辑. 当 p型半导体 区与 n型半导体 区相接触时，会形成一个 pn结 。 此时，由于两边的 载流子 浓度不同，n区的多子电子向p区 扩散 ，而p区的多子空穴向n区扩散。 随着电子由n区向p区扩散，带正电的施主离子被留在n区。 同样，随着空穴由p区向n区扩散，p区由于存在带负电的受主离子而带负电。 n区与p区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出了一个内建电势，方向由正电荷区指向负电荷区，也就是由n区指向p区。 可以这样认为，由于浓度梯度的存在，多数载流子便受到了一个“扩散力”。
