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pn结击穿（electrical breakdown of p-n junction）. 对pn结施加的 反向偏压 增大到某一数值VBR时， 反向电流 密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。. 发生击穿时的 反向电压 称为pn结的 击穿电压 。. 外文名. electrical breakdown of p-n junction. 简 称.
如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。
列表一. 列表二. 简介. 播报. 编辑. 有 分析 显示字母频率就像 词频 ，不同作者或写作主题的作品中往往各不相同。 当为 x射线 （x-rays）撰文时，文章中就会有大量的字母X。 而撰写用 x射线 治疗 卡塔尔 （Qatar）的 斑马 （zebras）时，一般很少出现的字母X、Q和Z就会充斥文中。 可从作者的字母使用频率中看出他的某些写作习惯。 例如， 海明威 的写作风格明显不同于 福克纳 。 字母、双字母组、三字母组、单词频率、单词长度和句子长度，这些都可以经统计后用以证明或反驳某一作品是某作者所写，甚至待鉴别作品与作者的写作风格相近也可用这一方法。 只能靠分析大量有代表性的文本才可得出准确的字母平均频率，而借由现代 计算机 和庞大的文本语料库，很容易完成这样的统计工作。
PN 断面是横切东海中部黑潮主轴的标准断面,相关的调查资料相当丰富， 它已成为东海及黑潮研究最重要的断面之一。 PN 断面自东海西北角长江口到东南角琉球群岛呈西北、东南走向(具体位置为西北起 30°30’N、124°30’E，东至 27°30’N、128°15’E，与纬线成 37 ...
1 简介. 2 发展历史. 3 原理. P型半导体. 电子与电洞的移动. 扩散运动. PN接面的形成. 平衡状态. 4 制造工艺. 5 性质. 单向导电性. 伏安特性. 简介. 播报. 编辑. PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极体、双极性电晶体的物质基础。 发展历史. 播报. 编辑. 1948年，威廉·肖克利的论文《半导体中的P-N结和P-N结型电晶体的理论》发表於贝尔实验室内部刊物。 肖克利在1950年出版的《半导体中的电子和电洞》中详尽地讨论瞭结型电晶体的原理，与约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿共同发明的的点接触型电晶体所采用的不同的理论。 原理. 播报.
在交界面处杂质浓度由nA（p型区）突变为nD（n型区），具有这种杂质分布的pn结称为突变结。 实际的 突变结 ，两边的杂质浓度差很多，通常称这种结为单边突边结（记为p n，或n p）。
希腊字母后来又发展为拉丁、斯拉夫字母;阿拉米亚字母后来发展为印度、阿拉伯、亚美尼亚、维吾尔等字母。 可以说，腓尼基字母是现今世界各族字母的共同祖先。
