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光罩 （英文： Reticle, Mask ），在制作IC的过程中，利用 光蚀刻 技术，在半导体上形成图型，为将图型复制於晶圆上，必须透过光罩作用的 原理，类似于冲洗照片时，利用底片将影像复制至相片上。
光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。 由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。
2017年3月，何恺明和同事公布Mask R-CNN，提出了一个概念上简单、灵活和通用的用于目标实例分割（objectinstance segmentation）框架，能够有效地检测图像中的目标，同时还能为每个实例生成一个高质量的分割掩码。
设计图形经过 OPC 处理后（post-OPC），在被发送到掩模生产厂之前，必须要做所谓的掩模规则检查（mask rule check，MRC）。. MRC检查“post-OPC”数据，确认其中所有图形适合 掩模版 制备工艺。. MRC中的规则是由掩模版厂提供的，OPC工程师将这些规则输入到MRC软件中 ...
掩膜（MASK）：全称单片机掩膜，是指程序数据已经做成光刻版，在单片机生产的过程中把程序做进去。 优点是：程序可靠、成本低。 缺点：批量要求大，每次修改程序就需要重新做光刻板，不同程序不能同时生产，供货周期长。
中文名. 掩模保护膜. 外文名. Mask Pellicle. 用 途. 防止灰尘掉落在掩模有图形的一侧. 相关视频. 查看全部. 由于 玻璃基板 的厚度和保护膜距离基板的距离相近，均为6mm左右，所以这些吸附在掩模上的颗粒距离 掩模 图形面（Cr面）的距离都在6mm左右。 现代投影式光刻机的 聚焦深度 （DOF）最多也就是在1~2um，这远小于6mm。 因此，在曝光时，这些附着在玻璃和保护膜上的颗粒，只能在晶圆表面形成一个非常模糊的像，对局部的光强产生的干扰很小。 只有当这些颗粒的尺寸大到一定程度时，其在晶圆上产生的阴影才可能在光刻胶上留下图形。 图1是吸附在Cr图形上的颗粒与吸附在保护膜上的颗粒成像的对比示意图 [1]。 掩模保护膜.
别 名. 伊隆·马斯克、埃隆·里夫·马斯克. 国 籍. 美国 、 南非 、 加拿大 [10] 出生日期. 1971年6月28日. 毕业院校. 宾夕法尼亚大学. 职 务. 特斯拉 创始人兼首席执行官、 太空探索技术公司 首席执行官兼首席技术官、太阳城公司董事会主席、 推特 首席执行官. 主要成就. 美国国家工程院院士. 领导SpaceX实现私企火箭顺利折返、海上火箭回收等. 英国皇家学会院士. 获爱迪生发明奖 [113] 获2019年霍金科学传播奖 [47] 展开. 主要成就. 美国国家工程院院士.
