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  1. www.zhihu.com › question › 448691844二极管如何导电？什么是雪崩击穿和齐纳击穿？ - 知乎簡

    4 个回答. 默认排序. 电子学徒. 当外电场电子来到pn结的时候，自由电子因为内电场的电场力，能够顺利来到p区导电吗？. 外电场电子这个说法有点指代不明。. 如果是指N区的电子，那么可以说明电子是可以跨过耗尽区进入P区导电的，虽然电子在耗尽区逆电场 ...

  2. www.zhihu.com › question › 35609205为什么雪崩击穿是正温度系数？齐纳击穿是负 ... - 知乎簡

    雪崩击穿电压随温度升高而升高。 因为温度越高，晶格振动越强烈，载流子同晶格碰撞损失的能量增加，似的电场积累能量的速度变慢，只有在更强的电场下才能具有碰撞电离和雪崩倍增所需要的能量。

  3. www.zhihu.com › question › 264962191谁能通俗地介绍一下齐纳击穿和雪崩击穿？ - 知乎簡

    如此连锁反应，使得 阻挡层 中的 载流子 的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种 碰撞电离 导致击穿。 齐纳击穿：当 PN结 的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。

  4. www.zhihu.com › question › 642738312为什么 pn 结的结深越浅，雪崩击穿电压就越小 ... - 知乎簡

    要理解这一点，我们首先需要回顾PN结在反偏条件下的工作原理以及雪崩击穿现象的基本概念。 PN结基础 PN结由P型半导体和N型半导体组成，当对PN结施加反向偏压时，P型区的空穴和N型区的电子分别被拉向各自的电极，从而在PN结的交界处形成一个耗尽区。

  5. www.zhihu.com › question › 339178084关于MOSFET、MOS管雪崩，下面描述是否正确？ - 知乎簡

    7 个回答. ZY半导体在线. ・当向 MOSFET 施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成 击穿 并引发雪崩击穿。. ・ 发生雪崩击穿时，会流过大 电流，存在MOSFET失效的危险。. ・ MOSFET雪崩失效包括 短路 造成的失效和热量造成的失效。. ・dV/dt失效是MOSFET关断时流经 ...

  6. www.zhihu.com › question › 67572004什么是APD的盖革模式，和雪崩效应有什么区别。？ - 知乎簡

    雪崩效应只是APD的工作原理，和工作模式不是一个东西。 APD工作模式分盖革模式和线型模式，区别在于线型模式偏置电压低于反向击穿电压，盖格模式偏置电压高于击穿电压。

  7. www.zhihu.com › question › 36419322为什么雪崩击穿物理本质为磁致电离，可以详细讲下 ...簡

    雪崩击穿的电压要求较高，强大的电场下，漂移载流子碰撞出的束缚在共价键中的价电子，持续碰撞形成雪崩效应。 雪崩击穿物理本质是强电场导致电离加速，“磁致电离”说成“强电场致电离”才对。

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