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- 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了 超微半導體 、 日立 、 IBM 、 英飛凌 、 英特爾 、 台積電 、 飛思卡爾 、 加州大學柏克萊分校 等等，而 ITRS 預估多閘極電晶體將是32 奈米 以下重要的奠基石。
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相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了 超微半導體 、 日立 、 IBM 、 英飞凌 、 英特尔 、 台积电 、 飞思卡尔 、 加州大学伯克利分校 等等，而 ITRS 預估多閘極電晶體將是32 奈米 以下重要的奠基石。 [2] 實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。 其他伴隨發展的包含了通道 應力 、 矽 上 絕緣 （ SOI ）以及高 介電質 /金屬閘極材料。 雙閘極電晶體廣泛用於 超高頻 混頻器 （VHF mixers）和超高頻 前端放大器 （英语：RF front end） （VHF front end amplifiers）。 製造商包含 Motorola 、 NXP 和 Hitachi 。
相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了超微半導體、日立、IBM、英飛凌、英特爾、台積電、飛思卡爾、加州大學柏克萊分校等等，而ITRS預估多閘極電晶體將是32奈米以下重要的奠基石。
MOS 的全名是「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）」， 構造如圖一所示，左邊灰色的區域（矽）叫做「源極（Source）」，右邊灰色的區域（矽）叫做「汲極（Drain）」，中間有塊金屬（紅色）突出來叫做「閘極（Gate）」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal）、氧化物（Oxide）、半導體（Semiconductor），因此稱為「MOS」。 MOSFET 的工作原理與用途.
相当多的公司和机构已经在积极发展多闸极电晶体，其中包含了 超微半导体 、 日立 、 IBM 、 英飞凌 、 英特尔 、 台积电 、 飞思卡尔 、 加州大学伯克利分校 等等，而 ITRS 预估多闸极电晶体将是32 奈米 以下重要的奠基石。 [2] 实现上主要的障碍来自于制造技术，不论是平面和非平面的设计都面临挑战，特别是显影以及图案化技术。 其他伴随发展的包含了通道 应力 、 矽 上 绝缘 （ SOI ）以及高 介电质 /金属闸极材料。 双闸极电晶体广泛用于 超高频 混频器 （VHF mixers）和超高频 前端放大器 （英语：RF front end） （VHF front end amplifiers）。 制造商包含 Motorola 、 NXP 和 Hitachi 。
2021年3月20日 · 打贏戰爭的方法，包含研發各式各樣的電晶體，例如鰭式場效電晶體（FinFET）、環繞式閘極（GAAFET）電晶體及互補式場效電晶體（CFET）；或是大手筆引進艾司摩爾開發的極紫外光（EUV）曝光機，在微縮顯影上做突破，這部分可以回去複習我們的這一集
2022年4月26日 · 應用材料公司（Applied Materials）宣布推出多項創新技術，協助客戶運用 EUV 持續進行 2D 微縮，並展示業界最完整的次世代 3D 閘極全環（GAA）電晶體製造技術組合。 應材公司表示，晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度。 一種是依循傳統摩爾定律的 2D 微縮技術，使用 EUV 微影系統與材料工程以縮小線寬。 另一種是使用設計技術最佳化（DTCO）與 3D 技術，巧妙地藉由最佳化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。 其中，第二種方法需要使用晶背電源分配網路與閘極全環（Gate-All-Around, GAA）電晶體，隨著傳統 2D 微縮技術逐漸式微，未來預計能有效提升邏輯單元密度的比率。
2023年2月10日 · 台積電在2022年的表現，令人欽佩。 以營業額論，台積電居2022年全球半導體公司的首位。 不過大部分的市調公司，不將晶圓代工公司列入半導體營業額的排行榜。 在此我們依照慣例，不計台積電，列出全球十大半導體公司。 世界上幾乎所有最先進製程晶片都是在台灣製造的。 圖／ AFP. 沒有自己產品的晶圓代工公司台積電，營業額能超越所有擁有自有產品的公司，實是難能可貴。 三星半導體受記憶體市場拖累，仍領先英特爾. 三星電子（Samsung Electronics）2022年半導體營業額為726.5億美元，較2021年的810.5億美元衰退10.4%，居全球第一。 2022年記憶體市場不佳，DRAM、NAND平均售價，在下半年開始下跌，造成三星電子的半導體營業額衰退。
