搜尋結果
多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裏 摩爾定律 （Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。. [1] 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了 超微半導體 、 日立 、 IBM 、 英飛凌 、 英特爾 、 台積電 、 飛思卡爾 ...
- 工业需求
- 简略模型
- 外部连接
平面电晶体主导了整个半导体工业已经好长一段时间。随著尺寸愈做愈小，出现了短通道效应，特别是漏电流，这类使得元件耗电的因素。 多闸极电晶体的载子通道受到接触各平面的闸极控制。因此提供了一个更好的方法可以控制漏电流。由于多闸极电晶体有更高的本征增益和更低的沟道调制效应，在类比电路领域也能够提供更好的效能。如此可以减少耗电量以及提升晶片效能。立体的设计也可以提高电晶体密度，进而发展需要高密度电晶体的微机电领域。
UC Berkeley BSIM Group在2012年3月1号正式发表BSIMCMG106.0.0，这是第一个FinFET的标准模型。BSIM-CMG被实现在Verilog-A上。对于有限体参杂（body doping）的本质与非本质模型的物理面电势公式皆已被导出。考虑了多消耗以及量子效应的源极和汲极端的面电势也已明确地被导出来。透过微扰近似，我们已经可以理解有限体参杂的效应。导出的面电势也与2-D元件的模拟相当接近。如果通道的参杂浓度很低，低到可以忽略，那么在特殊情况下，我们可以更进一步改进计算效率。 所有重要的闸极电晶体的效应都已经被这个模型所捕捉。体积翻转效应被包含在泊松方程的解里，于是其后的I-V式子自然而然反映出了此效应。多闸极电晶体的电气准电势的分析给了如何解释短通道效应的模型...
相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了 超微半導體 、 日立 、 IBM 、 英飞凌 、 英特尔 、 台积电 、 飞思卡尔 、 加州大学伯克利分校 等等，而 ITRS 預估多閘極電晶體將是32 奈米 以下重要的奠基石。 [2] 實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。 其他伴隨發展的包含了通道 應力 、 矽 上 絕緣 （ SOI ）以及高 介電質 /金屬閘極材料。 雙閘極電晶體廣泛用於 超高頻 混頻器 （VHF mixers）和超高頻 前端放大器 （英语：RF front end） （VHF front end amplifiers）。 製造商包含 Motorola 、 NXP 和 Hitachi 。
2015年4月7日 · 首頁. 零組件. 3D 電晶體你真的懂嗎？ 完全看懂多閘極電晶體的奧祕. Jazzbear 發表於 2015年4月07日 09:00 收藏此文. 近年來半導體業最大的新聞，莫過於各家廠商都推出了3D電晶體，一掃過去深度奈米製程毫無進展的陰天心情。 原本卡在半空中很久的30奈米以下製程，以及大家都一致唱衰的摩爾定律必破論，似乎又被丟到了垃圾筒裡去了。 講到這些就不得不提到Intel公開的Tri-Gate電晶體，還有台積電的FinFET製程，都是已經實現的代表。 AMD早在2002年，也做了一顆10奈米3D的FinFET電晶體，試圖踩入這一塊的設計圈，希望可以早日看到量產的計劃。 為什麼之前一旦談到30奈米製程大家就很痛苦，現在又充滿了希望呢？ 這就要從電晶體的特性開始談起。 讓矽半導體導電.
- Jazzbear
MOS 的全名是「金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）」， 構造如圖一所示，左邊灰色的區域（矽）叫做「源極（Source）」，右邊灰色的區域（矽）叫做「汲極（Drain）」，中間有塊金屬（紅色）突出來叫做「閘極（Gate）」，閘極下方有一層厚度很薄的氧化物（黄色），因為中間由上而下依序為金屬（Metal）、氧化物（Oxide）、半導體（Semiconductor），因此稱為「MOS」。 MOSFET 的工作原理與用途.
2022年4月26日 · 應用材料公司（Applied Materials）宣布推出多項創新技術，協助客戶運用 EUV 持續進行 2D 微縮，並展示業界最完整的次世代 3D 閘極全環（GAA）電晶體製造技術組合。 應材公司表示，晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度。 一種是依循傳統摩爾定律的 2D 微縮技術，使用 EUV 微影系統與材料工程以縮小線寬。 另一種是使用設計技術最佳化（DTCO）與 3D 技術，巧妙地藉由最佳化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。 其中，第二種方法需要使用晶背電源分配網路與閘極全環（Gate-All-Around, GAA）電晶體，隨著傳統 2D 微縮技術逐漸式微，未來預計能有效提升邏輯單元密度的比率。
相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體,其中包含了 超威半導體, 日立, IBM, 英飛凌, 英特爾, 台積電, 飛思卡爾, 加州大學伯克利分校 等等，而 ITRS 預估多閘極電晶體將是32納米以下重要的奠基石。 實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。 其他伴隨發展的包含了通道應力、矽上絕緣以及高介電質/金屬閘極材料。 雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混合器 (VHF mixers)和超高頻前端終止放大器 (VHF front end ampilifiers)。 製造商包含 Motorola, NXP, and Hitachi 。 基本介紹. 中文名 ：多閘極電晶體. 外文名 ：Many gate transistors. 工業需求.
