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在芯片生产过程中，芯片不可避免的要受到各种各样的ESD攻击，包括环境，CMOS工艺，封装，测试以及人体接触都会产生各种各样的静电。其中以下两种模型为当前最常见ESD模型： CDM：Charge device model HBM：Human body model
GCNMOS开启 NMOS管 的途径有两种：一种是利用静电频率作为触发条件，一种是利用 静电压 作为触发条件，如图所示。 图一.电压触发GCNMOS。 图二.频率触发GCNMOS。 针对component的ESD设计是关注芯片在非正常工作状态下的防护能力。 所以片上ESD设计是防止ESD器件对正常工作产生干扰的同时确保在静电来临时能产生 ESD静电泄放通道 ，基于这个核心思想产生了两者耦合方式。 电压触发： 正常工作情况下VDD—VSS的压差小于齐纳或二极管串的 导通电压 ，此时NMOS的栅压为低压，NMOS关断。 而当VDD上有 ESD电流 产生后，这部分电流会集聚在二极管串的阳极或齐纳管的阴极，直到电压足够导通器件。
Electrostatic Discharge (ESD)， 静电放电抗扰度测试 ，主要用于检查人或物体在接触设备时所引起的放电（直接放电），以及人或物体对设备邻近物体的放电（间接放电）时对设备工作造成的影响。 静电放电时可以在0.5-20ns的时间内产生1-50A的放电电流。 虽然电流很大但因持续时间很短，故能量较小。 所以一般静电放电不会对人产生伤害，但对 集成电路芯片 等电子产品可能产生破坏性的危害。 静电放电试验 的测试等级为：接触放电2kV，4kV，6kV，8kV；空气放电：2kV，4kV，8kV，15kV。 测试环境搭建： IEC61000-4-2 中第7.2.2章节定义了测试环境的搭建。 测试环境搭建.
根据美国ESD协会的定义， ESD是指“由高静电场引起的静电电荷快速、自发转移”。ESD会扰乱电子系统的正常运行，导致设备发生故障。ESD引起的损坏情况有很多，从泄漏、短路到结和金属化烧毁、栅极氧化物破裂、电阻-金属接口劣化等，不一而足。
2016年5月11日 · 8 个回答. 默认排序. 英飞凌. 已认证账号. 15 人赞同了该回答. 英飞凌工程师解答： 内容来源： 英飞凌汽车电子生态圈. 一个有效的ESD防控方案必定是详尽而具体的。 但它的 基本概念可概括为下列10条 ： 1. 确保使用封闭的 导电容器 储存并运输MOSFET。 2. 仅在静电控制工作站接地后才从容器中移走MOSFET。 3. 处理功率MOSFET的工作人员应穿戴 防静电服 ，并始终接地。 4. 地板应铺设接地的防静电地毯或进行 静电耗散 处理。 5. 桌子应铺设接地的静电耗散桌布。 6. 避免使用任何类型的绝缘材料。 7. 仅在一次性应用中使用 防静电材料 。 8. 务必使用 接地烙铁 安装MOSFET。 9. 仅在 静电控制 工作站测试MOSFET。 10.
2022年7月13日 · 一、前言. 电容是构成电路的基本器件之一，也是在EMC整改手段中最便利、最有效和成本最低的手段之一。 而在ESD测试中，我们会遇到一些比较明显的测试现象，比如机器重启或者屏幕闪屏，而这些现象有时候只需要加一个电容就能解决。 本片文章就电容的这个妙用进行探讨分析。 二、电容特性. 要想用好电容，首先我们需要了解电容的基本特性。 实际上我们用的电容都不是理想状态下的电容，而是由等效电感ESL、 等效电阻ESR 和电容ESC组成，等效电路图如下图所示: 而下图是电容的 频率曲线图 ，可以看得出电容的效果和频率有着密不可分的关系，而 谐振频率点 是电容效果最好的频率点。 而电容的使用频率范围则可以通过 电容谐振频率公式 可以得出： 三、电容在ESD整改中的应用.
静电放电即ESD（Electro-Static discharge），是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD。
